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平面型二极管用特殊工艺制成，它的特点是：
路中工作；截面积较大时，可以通过很大的电流，
3．二极管的伏安特性曲线及参数
(1)二极管的伏安特性曲线
正极引线
截面积较小时结电容小，适用于在数字电
如图1.1 -4 (c)所示。
二极管最重要的特性就是单向导电性，这是由于在不同极性的外电压作用下，内部载流
子的不同运动过程形成的。反应到外部电路就是加到二极管两端的电压和通过二极管的电流
之间的关系，即二极管的伏安特性。在电子技术中，常用伏安特性曲线来直观描述电子器件
的特性。图1.1 -5表示测量二极管伏安特性的实验电路。在不同的外加电压作用下，每改
变一次Rp的值就可以测得一组电压和电流数据，然后在以电压为横坐标、电流为纵坐标的
直角坐标系中描绘出来，就得到二极管的伏安特性曲线，如图1.1 -6所示。
D
图1.1 -5测量二极管伏安特性的实验电路
D
从特性曲线可以看出，正向电压UF上升时，二极管呈现的电阻很小，正向电流，，增长
很快，二极管正向导通；二极管加反向电压时，二极管呈现的电阻很大，只有很小的反向电
流流过，基奉处于阻断状态。特性曲线可以分为以下几个区域。
1)正向特性
(a)不导通区（也叫死区）。当二极管承受正向电压UF时，开始的一段，由于外加电
压较小，还不足以克服PN结内电场对载流子运动的阻挡作用，因此正向电流几乎为零，二
6电子技术基础
图1.1 -6二极管的伏安特性曲线
极管呈现的电阻较大，曲线OA段比较平坦，
我们把这一段称作不导通区或者死区。与它
相对应的、电压叫死区电压，一般硅二极管约
0:5 V，锗二极管约0.2 V。
(b)导通区。当正向电压UF上升到大于
死区电压时，PN结内电场几乎被抵消，二极
管呈现的电阻很小，正向电流‘增长很快，
二极管正向导通。导通后，正向电压微小的
增大会引起正向电流急剧增大，如曲线中的
AB段所示。该段曲线陡直，电压与电流的关
系近似于线性，我们把AB段称作导通区。
导通后二极管两端的正向电压称为正向压降
（或管压降），一般硅二极管为0.7 V，锗二极管为0.3 V。这个电压比较稳定，几乎不随流
过的电流大小而变化。
2)反向特性
(a)反向截止区。当二极管承受反向电压U。时，加强了PN结内电场，使二极管呈现
很大的电阻。PN结内部的少数载流子在反向电压作用下通过PN结，形成很小的反向电流
，。。反向电压开始增加时，反向电流略有增加，随后在一定范围内便不随反向电压增加而增
大，如曲线OC段，此处的反向电流，。通常也称为反向饱和电流，。，OC段称为反向截止区。
反向电流是由少数载流子形成的，它会随温度升高而增大，窦际应用中，此值越小越好。一
般硅二极管的反向电流在几十微安以下，锗二极管的反向电流达几百微安，大功率二极管的
反向电流将更大些。
(b)反向击穿区。当反向电压增大到超过某一个值时（图中C点），反向电流急剧加
大，这种现象叫反向击穿。C点对应的电压叫反向击穿电压U。。，CD段称为反向击穿区。
不同的二极管，反向击穿电压不一样。
(2)二极管的主要参数
1)最大整流电流/FM。常称额定工作电流，它是指长期使用时，允许流过二极管的最大
平均电流。这个电流与二极管两端正向压降的乘积，就是二极管发热的耗散功率。正向电流
不能无限制增加，否则PN结会过热烧毁。应用时，二极管的实际工作电流要低于规定的最
大整流电流值。
2)最大反向工作电压（峰值）U。M。常称额定工作电压，它是为了保证二极管不致
反向击穿而规定的最大反向电压。一般规定二极管最高反向工作电压是反向击穿电压的
1/2—1/3，以确保二极管安全工作。实际应用中，反向电压的峰值不能超过最高反向工
作电压。
4．二极管的串并联
在整流设备中，有时会遇到要求输出很高电压或很大电流的情况。这时，单个的整流器
件已不能满足要求，一般采用同型号的整流二极管串联或并联使用。
(1)二极昝的串联
串联后总的反向工作峰值电压成倍增长。由于各个二极管的反向电阻不可能完全一致，
上篇模拟电子技术基础7
串联后，其中反向电阻最大的一只因承受电压过高而可能击穿，于是全部电压分别加在其余
二极管上，最后导致全部二极管会陆续击穿损坏。所以整流二极管串联使用时，一般需并联
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民用航空器维修基础系列教材 电子技术基础(5)
