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┃ rr l ┃0川 0.5 0.6 ﹢图1.2 -6晶体三极管的输入特性曲线
u。。增加时，曲线将向右移动。或者说，当u。。一定时，随着UCE的增大，，e将相应地减小。
从图中可以看到，在U。。=0.3 V和U。。=10 V条件下的，。电流变化不大。所以，在工
程分析上，三极管工作于放大状态时，通常只画出Uc。>0.3 V的一条输入特性曲线，而不
考虑U。。变化的影响，认为晶体管的输入特性曲线是一条不随UCE变化的曲线。
晶体管输入特性也有一段死区。只有在发射结外加电压大于死区电压时，晶体管才会出
现k电流。硅管的死区电压约为0.5 V，锗管的死区电压约为0.1 V。在正常工作。隋况下，
NPN型硅管的发射结电压U。E=0.6—0.7 V，PNP型锗管的UBE -0.2—0.3 V。
(2)输出特性曲线
输出特性曲线是指当基极电流，。为常数时，输出电路（集电极电路）中集电极电流，c
与集一射极电压U。。之间的关系曲线J『。= f(U。。)。在不同的Je下，可得出不同的曲线，所以
晶体管的输出特性曲线是一个曲线簇，如图1.2 -7历示。
饱和
图1.2 -7晶体管的输出特性曲线
上篇模拟电子技术基础25
从曲线上可以看出，当/B-定时，L基本不随UCE变化，具有恒流特性。
当J『。增大时，相应的k也增大，曲线上移，而且，。比，B增加得多，这就是晶体管的电流
放大作用。通常把晶体管的输出特性曲线分为三个工作区和一个击穿区。
1)放大区
输出特性曲线近于水平的部分是放大区，在图1.2 -7中标出。在放大区，t=p/B。
放大区也称为线性区，因为，。和k成正比的关系。图中显示，基极电流，。从20 pdA变
化到30 pdA，即A/B=10 I_LA，集电极电流L从2 mA变化到3 mA，即A/c =1 mA，它们的比
值箬鲁=100，也就是说集电极电流把基极电流放大了100倍，这就是晶体三极管的放大作
用。如前所述，晶体管工作于放大状态时，发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置，即
对于NPN型管而言，应使UBE >0，UBC <0。
2)截止区
严格来说，在三极管截止状态，认为发射极E和集电极C之间开路，相当于开关断开，
即，。=0时。对NPN型硅管而言，当UBE<0.5 V时，管子就已开始截止，但为了截止可靠，
常使UBE≤0。截止时集电结也处于反向偏置。在实际电路中一般规定：，。=0(相应地，。一
0)以下的医域称为截止区，认为此时晶体三极管截止。虽然此时还有厶电流存在，但因这
一电流很小，可以忽略。晶体管截止时，发射结反向偏置，集电结也反向偏置。
3)饱和区
严格来说，在三极管饱和状态，认为发射极E和集电极C之间短路，相当于开关接通。
但实际三极管的C、E之间总是存在一个约0.3 V的饱和压降，并且这一电压一般作为放大
区和饱和区的分界线。当UCE<UBE时，集电结处于正向偏置，晶体管工作于饱和状态。在
饱和区，，。的变化对如的影响较小，两者不成正比，放大区的JB也不适用于饱和区。晶体管
饱和时，发射结、集电结都处于正向偏置。
4)击穿区
随着UCE的增大，加在集电结上的反偏电压UCB相应地增大。当UCE增大到一定数值时，
集电结发生击穿，造成，C电流剧增，从而使晶体三极管烧坏。在三极管应用中应该避免使用
这一区域。
综上所述，在放大器中，晶体三极管工作在放大区；在开关电路中，晶体三极管工作于
饱和区和截止区。
2．晶体管的检测
(1)用万用表判别管脚极性
图1.2 -8是UCE =0时晶体管的结构示意图，PNP或NPN型管在测量极间电阻时都可以
看成是反向串联的两个PN结，显然PNP型管基极对集电极、发射极都是反向的；NPN犁管恰
好相反，基极对集电极、发射极都是正向的，这是我们识别基极和判断管型的依据。
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民用航空器维修基础系列教材 电子技术基础(15)
