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管和点结型晶体管。在本教材中，我们主要讨论面结型晶体管。晶体管还可以按照其耗散功率
的大小进行分类，低于50 mW的管子称为小功率晶体管；高于2W的管子称为大功率晶体管。
晶体管的外形和尺寸，按其用途、安装方式和耗散功率的不同而不同，如图1.2 -1所
示。一些晶体管需用管座安装固定，而另外一些晶体管则可以直接焊接在电路板上。
20电子技术基础
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图1.2 -1 -些晶体三极管的外部形状
1.2.1 晶体三极管的结构工作原理管脚排列方式
1．晶体三极管结构
在一块极薄的硅或锗基片上制作两个PN结就构成了三层半导体，从三层半导体上各接
出一个引线，就是三极管的三个电极，再封装在管壳里就制成了晶体三极管。
三个电极分别叫发射极E、基极B、集电极C，对应的每层半导体分别称为发射区、基
区、集电区。发射区与基区交界处的PN结叫发射结，集电区与基区交界处的PN结叫集电
结。依据基区材料是P型还是N型半导体，三极管有NPN型和PNP型两种组合形式。它们
的基本结构及符号如图1.2 -2所示。
在分立元件的电路图中，三极管的符号带有“圆圈”；而在集成电路图中，一般将“圆
圈”省略。
在结构上，晶体三极管具有如下特点：
①发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
②基区做得很薄（斗m数量级）。
③集电结的面积比发射结面积大。
B
B曹
NPN型
图1.2 -2三极管的基本结构和符号
B
B
《Y
上篇模拟电子技术基础21
2．工作原理
当三极管的发射结作用正向电压（又称正向偏置）而集电结作用反向电压（反向偏置）
时，三极管的基极电流，。对集电极电流，。有控制作用。下面以NPN型管为例说明。
[实验一]按图1.2 -3所示的实验电路测量基极电流，。和集电极电流，。。
结果：①图1.2 -3 (a)中，，。≠0，因为发射结加的是正偏电压。
②图1.2-3 (b)中，J『。=0，因为发射结加的是反偏电压。
③图1.2-3 (c)中，，。#0，因为集电结加的是正偏电压。
④图1.2-3 (d)中，，。=0，因为集电结加的是反偏电压。
⑤图1.2-3 (e) (f)中，，。=0，因为电压仅加在C、E回路中，所以变换电压极性
只能使一个PN结正偏。
⑥图1.2-3 (g)中，当UBB>UCC时，_，。≠0、_，c≠0，但，。基本上不受，B的控制。因为
此时发射结和集电结都处于正偏状态。
NPN
lk
k
lk
(f)
NPN
图1.2 -3三极管特性测量实验电路
(h)
22电子技术基础
⑦图1.2-3 (h)中，当u。。>UB。时，，。≠O、，c≠0，并且，c受，e电流的控制。即，B有
一个较小的变化时，，。将发生较大的变化。此时，发射结处于正偏状态，集电结处于反偏
状态。
从上述实验中我们看到，三极管的发射结和集电结加正偏电压导通，加反偏电压截止。
在三极管的发射结正偏、集电结反偏时，，。电流随J。电流的变化而变化，此时的三极管就像
一个由，。电流控制的可变电阻。从测量数值中还可以看出，c电流比，e电流大很多。这一特性
也就是三极管的放大特性。
因此，晶体三极管具有放大作用的条件为：发射结加正偏电压，集电结加反偏电压。
从实验结果可以得出以下结论：三极管三个电极电流之间的关系为：
IB +/C=IE
一般情况下，三极管集电极电流k比基极电流，。大很多，这两个电流之比称为三极管的
静态电流放大系数，用hFE表示，即
危髓=每
集电极电流变化量A/。与基极电流变化量A/B之比，称为三极管的动态电流放大系数，
用口表示，即
卢=瓮
三极管的JB和危FE数值上相差不多，一般情况下并不特别加以区分。
改变三极管发射结正向偏置电压U。。，可以改变基极电流/¨当基极电流有A/B的变化
时，三极管的集电权电流，。就会有A/。=pA/。的变化，这就是通常所说的三极管的电流放大
作用。这一点我们将在后面详细讨论。
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民用航空器维修基础系列教材 电子技术基础(13)
